ZnGeP2 - saturatum infrared Nonlinear Optica
depictio producti
Ob has proprietates singulares, una ex materiis opulentissimis applicationibus opticis nonlinearis cognoscitur.ZnGeP2 generare potest 3-5 µm tunabilem laser continuum per oscillationem parametrica optica (OPO) technologia.Lasers, operans in fenestra transmissionis atmosphaericas 3-5 µm, magni sunt momenti pro multis applicationibus, ut mensura calculi ultrarubri, magna vigilantia chemici, apparatus medicinae et sensus remoti.
ZnGeP2 altam qualitatem opticam exhibere possumus cum absorptione maxime humilis coefficiens α <0.05 cm-1 (ad sentinam aequalitatem 2.0-2.1 µm), quae adhiberi potest ad medium tunabilem laserem generandum cum magna efficacia per processum OPO vel OPA.
Capacitas nostra
Dynamic Temperature Field Technologia creatus est, et ad synthesim ZnGeP2 polycrystalline applicatus est.Per hanc technologiam plus quam 500g puritatis ZnGeP2 polycrystallinus cum ingentibus granis in uno cursu perstringitur.
Congelo methodus Horizontalis Gradientis Congelo cum Directionali Necking Technologia (quae densitatem efficienter dislocationem potest demittere) feliciter applicata ad incrementum altae qualitatis ZnGeP2.
Kilogrammum gradus summus qualitas ZnGeP2 cum maxima mundi diametro (Φ55 mm) feliciter crevit methodo Verticali Gradiente Congelo.
Superficies asperitas et planitas machinarum cristallinarum, minus quam 5Å et 1/8λ, facta sunt a laqueis nostrae superficiei curationis technologiae.
Ultimus angulus declinatio machinarum crystallorum minor est quam 0,1 gradus propter applicationem orientationis accuratae et technicae sectionis accuratae.
Cogitationes cum praestantia observantia consecutae sunt propter eminentiam qualitatem crystallorum et summus gradus technologiae cristallinae (Laser tunable 3-5μm medium ultrafractum generatum est cum efficientia conversionis maior quam 56% cum exantlaretur per 2µm lumen. fontem).
Nostrae investigationis coetus, per continuam explorationem et technicam innovationem, feliciter synthesim technologiae altae puritatis ZnGeP2 polycrystalline vicit, incrementum technologiae magnae magnitudinis et magnitudinis ZnGeP2 et cristallinae orientationis et technologiae exquisitae processus;potest providere ZnGeP2 machinas et originalia sicut crystalla in massa grandia cum magna uniformitate, humilis effusio coefficientis, stabilitatis bonae et efficientiae altae conversionis.Eodem tempore totum crystallum perficiendi constituimus suggestum probandi, quod nos facultatem praebendi cristalli perficiendi experiendi operas clientium constituimus.
Applications
Secunda, tertia et quarta generatio harmonica CO2-laseris
Parametrica optica generatio cum flare ad necem 2.0 µm
Secunda generatio harmonica CO-laser
Producere radialem cohaerentem in submillimeterrange ab 70.0 µm ad 1000 µm
Generatio frequentiorum coniunctorum CO2 et radiorum CO lasersorum et aliorum lasers in regione diaphaneitatis crystalli laborant.
Basic Properties
| Chemical | ZnGeP2 |
| Crystal Symmetria et Classis | tetragonale, -42m |
| Parameters cancellos | a = 5.467 Å c = 12.736 Å |
| Density | 4.162 g/cm3 |
| Mohs duritia | 5.5 |
| Optical Classis | Positivum uniaxial |
| Userful Transmissio dolor | 2.0 um - 10.0 um |
| Scelerisque conductivity @ T= 293 K | 35 W/m∙K (⊥c) 36 W/m∙K (∥ c) |
| Scelerisque Expansion @ T = 293 K ad 573 K | 17.5 x 106 K-1 (⊥c) 15.9 x 106 K-1 (∥ c) |
Technical Parameters
| Diameter Tolerantia | +0/-0.1 mm |
| Longitudo tolerantia | ±0.1 mm |
| Tolerantia propensio | <30 arcmin |
| Superficiem Quality | 20-10 SD |
| idipsum | <λ/4@632.8 nm |
| Parallelismus | <30 arcsec |
| Perpendicularitas | < 5 arcmin |
| Chamfer | <0.1 mm x 45° |
| Perspicuus range | 0.75 - 12.0 ?m |
| Nonlinear Coefficientes | d36 = 68.9 pm/V (at 10.6μm) d36 = 75.0 pm/V (at 9.6 μm) |
| damnum Limen | 60 MW/cm2 ,150ns@10.6μm |
