AgGaSe2 Crystal — Band Marginibus 0.73 et 18 µm
Product Description
Tuning intus 2.5-12 µm nactus est cum flare ab Ho:YLF laser ad 2.05 µm; necnon tempus non-criticum adaptans (NCPM) operationem intra 1.9-5.5 µm cum flare ad 1.4-1.55 µm. AgGaSe2 (AgGaSe) demonstratum est frequentiam efficientem duplicationem crystalli pro laserarum radiorum ultrarubrum CO2 esse.
Operando in compositione cum commercio prompto synchrone-expectantibus parametricis oscillatoribus opticis (SPOPOs) in regimine femto- cundo et pico secundo, crystallis AgGaSe2 efficacem esse monstraverunt in conversione parametrica nonlinearibus (differentiae generationis frequentiae, DGF) in regione Medii IR. Medius IR crystallus AgGaSe2 nonlinearis unam ex maximis meriti figuris (70 pm2/V2) habet, inter crystallos commerciales pervias, quae sexies plus quam AGS aequipollent. AgGaSe2 etiam aliis crystallis mediis IR potior est pluribus causis specificatis. AgGaSe2, exempli gratia, spatiales inferiores habet ambulationes et minus prompte pro applicationibus specificis tractandis (incrementum et directionem sectis, exempli gratia), licet maiorem nonlinearitatem et aream diaphaneitatis aequivalentem habens.
Applications
Generatio harmonica secunda in CO et CO2 - lasers
Optical parametrica oscilator
● Diversa frequentia generans ad regiones ultrarubras medias usque ad 17 mkm.
Frequentia permixtio in medio regionis IR
Basic Properties
Crystal Structure | Tetragonum |
Morbi laoreet | a=5.992 , c=10.886 |
Liquefactio Point | 851 °C |
Densitas | 5.700 g/cm3 |
Mohs duritia | 3-3.5 |
effusio Coefficientis | <0.05 cm-1 @ 1.064 µm <0.02 cm-1 @ 10.6 µm |
Relativum Dielectric Constant @ 25 MHz | ε11s=10.5 ε11t=12.0 |
Scelerisque Expansion Coefficiens | ||C: -8.1 x 10-6 /°C C: +19.8 x 10-6 /°C |
Scelerisque Conductivity | 1.0 W/M/°C |