fot_bg01

Producta

Nd:YVO4 – Laseres Status Solidi Diodis Impulsati

Descriptio Brevis:

Nd:YVO4 est unus e crystallis hospitibus laseris efficacissimis qui nunc exstant pro laseribus status solidi diodis impulsis. Nd:YVO4 est crystallus excellens pro laseribus status solidi diodis impulsis magnae potentiae, stabilibus et sumptibus parcis.


Detalia Producti

Etiquettae Productarum

Descriptio Producti

Nd:YVO4 laseres infrarubros, virides, caeruleos potentes et stabiles producere potest, designo Nd:YVO4 et crystallorum duplicationis frequentiae utentes. Pro applicationibus ubi designum compactius et exitus modi longitudinalis singularis requiritur, Nd:YVO4 suas commoditates prae aliis crystallis lasericis vulgo adhibitis ostendit.

Commoda Nd:YVO4

● Limina laseris humilia et efficacia inclinationis alta
● Magna sectio transversalis emissionis stimulatae ad longitudinem undae laseris
● Alta absorptio per latam latitudinem longitudinis undae pumpandi
● Optice uniaxialis et magna birefringentia laserem polarizatum emittit
● Parva dependentia a longitudine undae pumpandi et tendentia ad exitum unius modi

Proprietates Fundamentales

Densitas Atomica ~1.37x10²⁵ atomi/cm²
Structura Crystallina Zircon Tetragonale, coetus spatialis D4h, a=b=7.118, c=6.293
Densitas 4.22 g/cm²
Duritia Mohsiana Vitri similis, 4.6 ~ 5
Expansio Thermalis
Coefficiens
αa = 4.43 × 10⁻⁶/K, αc = 11.37 × 10⁻⁶/K
Punctum Liquefactionis 1810 ± 25℃
Longitudines Undarum Laser 914nm, 1064nm, 1342nm
Optica Thermica
Coefficiens
DNA/dT=8.5×10⁻⁶/K, dnc/dT=3.0×10⁻⁶/K
Emissio Stimulata
Sectio Transversa
25.0 × 10⁻⁶ cm², @1064 nm
Fluorescens
Per totam vitam
90 ms (circiter 50 ms pro 2 atm% Nd dopato)
@ 808 nm
Coefficiens Absorptionis 31.4 cm⁻¹ @ 808 nm
Longitudo Absorptionis 0.32 mm @ 808 nm
Iactura Intrinseca Minus 0.1% cm⁻¹, @1064 nm
Latitudo Bandae Augmentandae 0.96 nm (257 GHz) @ 1064 nm
Laser Polarisatus
Emissio
parallela axi optico (axis c)
Diodo Pumpato
Opticus ad Opticum
Efficacia
> 60%
Aequatio Sellmeier (pro puris crystallis YVO4) no2(λ) = 3.77834+0.069736/(λ2 - 0.04724) - 0.0108133λ2
  no2(λ) = 4.59905+0.110534/(λ2 - 0.04813) - 0.0122676λ2

Parametri Technici

Concentratio dopantis Nd 0.2 ~ 3 atm%
Tolerantia dopantis intra 10% concentrationis
Longitudo 0.02 ~ 20mm
Specificatio tegumenti AR @ 1064nm, R< 0.1% et HT @ 808nm, T>95%
Frequentia frequentiae (HR) ad 1064nm, R > 99.8% et temperatura (HT) ad 808nm, T > 9%
Frequentia frequentiae (HR) ad 1064nm, R > 99.8%, HR ad 532nm, R > 99% et HT ad 808nm, T > 95%
Orientatio directio crystallina incisa a (+/-5℃)
Tolerantia dimensionalis +/-0.1mm (typica), Alta praecisio +/-0.005mm ad petitionem praesto esse potest.
Distortio frontis undae <λ/8 apud 633nm
Qualitas superficiei Melius quam 20/10 Scalptura/Effossio secundum MIL-O-1380A
Parallelismus < 10 arcus secunda

  • Praecedens:
  • Deinde:

  • Nuntium tuum hic scribe et nobis mitte.