Nd:YVO4 – Laseres Status Solidi Diodis Impulsati
Descriptio Producti
Nd:YVO4 laseres infrarubros, virides, caeruleos potentes et stabiles producere potest, designo Nd:YVO4 et crystallorum duplicationis frequentiae utentes. Pro applicationibus ubi designum compactius et exitus modi longitudinalis singularis requiritur, Nd:YVO4 suas commoditates prae aliis crystallis lasericis vulgo adhibitis ostendit.
Commoda Nd:YVO4
● Limina laseris humilia et efficacia inclinationis alta
● Magna sectio transversalis emissionis stimulatae ad longitudinem undae laseris
● Alta absorptio per latam latitudinem longitudinis undae pumpandi
● Optice uniaxialis et magna birefringentia laserem polarizatum emittit
● Parva dependentia a longitudine undae pumpandi et tendentia ad exitum unius modi
Proprietates Fundamentales
Densitas Atomica | ~1.37x10²⁵ atomi/cm² |
Structura Crystallina | Zircon Tetragonale, coetus spatialis D4h, a=b=7.118, c=6.293 |
Densitas | 4.22 g/cm² |
Duritia Mohsiana | Vitri similis, 4.6 ~ 5 |
Expansio Thermalis Coefficiens | αa = 4.43 × 10⁻⁶/K, αc = 11.37 × 10⁻⁶/K |
Punctum Liquefactionis | 1810 ± 25℃ |
Longitudines Undarum Laser | 914nm, 1064nm, 1342nm |
Optica Thermica Coefficiens | DNA/dT=8.5×10⁻⁶/K, dnc/dT=3.0×10⁻⁶/K |
Emissio Stimulata Sectio Transversa | 25.0 × 10⁻⁶ cm², @1064 nm |
Fluorescens Per totam vitam | 90 ms (circiter 50 ms pro 2 atm% Nd dopato) @ 808 nm |
Coefficiens Absorptionis | 31.4 cm⁻¹ @ 808 nm |
Longitudo Absorptionis | 0.32 mm @ 808 nm |
Iactura Intrinseca | Minus 0.1% cm⁻¹, @1064 nm |
Latitudo Bandae Augmentandae | 0.96 nm (257 GHz) @ 1064 nm |
Laser Polarisatus Emissio | parallela axi optico (axis c) |
Diodo Pumpato Opticus ad Opticum Efficacia | > 60% |
Aequatio Sellmeier (pro puris crystallis YVO4) | no2(λ) = 3.77834+0.069736/(λ2 - 0.04724) - 0.0108133λ2 |
no2(λ) = 4.59905+0.110534/(λ2 - 0.04813) - 0.0122676λ2 |
Parametri Technici
Concentratio dopantis Nd | 0.2 ~ 3 atm% |
Tolerantia dopantis | intra 10% concentrationis |
Longitudo | 0.02 ~ 20mm |
Specificatio tegumenti | AR @ 1064nm, R< 0.1% et HT @ 808nm, T>95% |
Frequentia frequentiae (HR) ad 1064nm, R > 99.8% et temperatura (HT) ad 808nm, T > 9% | |
Frequentia frequentiae (HR) ad 1064nm, R > 99.8%, HR ad 532nm, R > 99% et HT ad 808nm, T > 95% | |
Orientatio | directio crystallina incisa a (+/-5℃) |
Tolerantia dimensionalis | +/-0.1mm (typica), Alta praecisio +/-0.005mm ad petitionem praesto esse potest. |
Distortio frontis undae | <λ/8 apud 633nm |
Qualitas superficiei | Melius quam 20/10 Scalptura/Effossio secundum MIL-O-1380A |
Parallelismus | < 10 arcus secunda |
Nuntium tuum hic scribe et nobis mitte.